Experimental Study of the Influence of the Porosity of Thin-Film Silicon-Based Anodes on Their Charge-Discharge Characteristics

Авторы: Kulova T.L., Mazaletsky L.A., Mironenko A.A., Rudy A.S., Skundin A.M., Tortseva Yu S., Fedorov I.S.
Журнал: Russian Microelectronics
Том: 50
Номер: 1
Год издания: 2021
Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства: Russian Federation
Первая страница: 44
Последняя страница: 52
Оригинальные версии: Экспериментальное исследование влияния пористости тонкопленочных анодов на основе кремния на их зарядно-разрядные характеристики
DOI: 10.1134/S1063739720060074
Аннотация: The effect of porosity on the charge-discharge characteristics of thin films based on an Si–O–Al nanocomposite with two types of structure, homogeneous and columnar, is studied. An additional increase in the porosity of thin Si–O–Al films is achieved by removing the SiOx phase, where 1<x⩽2, when etching in a solution of hydrofluoric acid. The charge-discharge characteristics of the films were investigated in half-cells in the galvanostatic mode. It is shown that processing films with a columnar structure leads to an increase in their specific capacity and stability under extreme charge-discharge modes.
Добавил в систему: Скундин Александр Мордухаевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА