Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (IFO) на фотоэлектрические свойства гетероперехода IFO/p-Siстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст статья 2008_FTP_Vliyanie_uslovij_osazhdeniya_i_otzhiga_IFO......... 213,7 КБ 11 июня 2015 [guntila]

[1] Влияние условий осаждения и отжига пленок легированного фтором оксида индия (ifo) на фотоэлектрические свойства гетероперехода ifo/p-si / Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева и др. // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, № 4. — С. 415–422.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть