Fluorine doped indium oxide films for silicon solar cellsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Untila G. G., Kost T. N., Chebotareva A. B. Fluorine doped indium oxide films for silicon solar cells // Thin Solid Films. — 2009. — Vol. 518. — P. 1345–1349. The effect of conditions of preparation of the In2O3:F(IFO)/(pp+)Si solar cell (SC) by pyrosol method was systematically studied with the goal to maximize its photovoltage. Heterojunction IFO/(pp+)Si SC was obtained with the efficiency of 16.6% and photovoltage of 617 mV as well as the IFO/(n+pp+)Si SC with the efficiency of 19.2% using the following obtained optimal conditions: film-forming solution: 0.2MInCl3+0.05MNH4F+0.1M H2O in methanol; carrier gas — Ar+5% O2; deposition temperature — 480 oC; duration of deposition — 2 min; two-minute annealing in argon with sprayed methanol at a temperature of 380 oC. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть