|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
CHARGE-TRANSFER IN (GA2S3)1-X(EU2O3)X SINGLE-CRYSTALS IN STRONG ELECTRIC-FIELDSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 декабря 2013 г.
- Авторы: Tagiev O.B., Kasimova G.A.
- Журнал: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
- Том: 128
- Номер: 1
- Год издания: 1991
- Издательство: Wiley - V C H Verlag GmbbH & Co.
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 167
- Последняя страница: 174
- Аннотация: Detailed investigations are made of a strong electric field effect on the electroconductivity of (Ga2S3)1-x(Eu2O3)x single crystals with effective electroluminescence, photoluminescence, and cathodoluminescence in the temperature range from 77 to 400 K for the first time. The measurements are performed on samples with indium ohmic contacts with sandwich structure. it is found that 1. in electric fields of 2 to 3.3 x 10(2) V/CM Ohm’s law takes place, 2. in electric fields from 3.3 x 10(2) to 3.0 x 10(3) V/CM injection occurs, 3. in the region from 3 x 10(3) to 5 x 10(4) V/cm the electroconductivity changes according to the Poole-Frenkel law, and 4. in fields above 4 x 10(4) V/cm a temperature dependent tunnelling of charge carriers through a potential barrier decreased by square-root pi-epsilon-0-epsilon/e3F takes place.
- Добавил в систему: Тагиев Октай Бахадир