|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Temperature effect on the photoluminescence intensity and Eu2+ excited state lifetime in EuGa2S4 and EuGa2S4:Er3+статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Georgobiani A.N., Tagiev B.G., Tagiev O.B., Abushov S.A., Kazymova F.A., Gashimova T.Sh, Xurong Xu
- Журнал: Inorganic Materials
- Том: 45
- Номер: 2
- Год издания: 2009
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 116
- Последняя страница: 122
- Аннотация: The photoluminescence (PL) spectra and Eu2+ excited state lifetime of EuGa2S4 and EuGa2S4:Er3+ have been studied in the range 78-500 K. The spectra show a band at 545 nm, due to the 4f (6)5d -> 4f (7)((8) S (7/2)) transition. With increasing temperature, the full width at half maximum I"(T) of the PL band of EuGa2S4 and EuGa2S4:Er3+ crystals increases from 0.15 to 0.22 and from 0.13 to 0.19 eV, respectively. Over the entire temperature range studied, I"(T) is a linear function of T (1/2). The 545-nm emission intensity and Eu2+ excited state lifetime in EuGa2S4 and EuGa2S4:Er3+ vary exponentially with temperature. The luminescence quenching energies evaluated from the Arrhenius plots of I(10(3)/T) and tau(10(3)/T) coincide (0.10 eV) within the error of determination.
- Добавил в систему: Тагиев Октай Бахадир