|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Использование метода электротреппинга для создания одноэлектронных транзисторовтезисы доклада
- Авторы: Галстян А.Г., Дагесян С.А., Солдатов Е.С., Снигирев О.В.
- Сборник: Труды школы-семинара «Волны-2016», секция «Метаматериалы, фотонные кристаллы и наноструктуры»
- Серия: секция «Метаматериалы, фотонные кристаллы и наноструктуры
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: Москва, МГУ им. М.В. Ломоносова
- Первая страница: 32
- Последняя страница: 33
- Аннотация: Разработана методика создания планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов с применением явления электромиграции для создания наноэлектродов транзистора и метода диэлектрофореза для встраивания наночастиц золота размером 2-4 нм в нанозазор между электродами. Характеристики электронного транспорта в полученных устройствах имеют типичный для одноэлектроники участок кулоновской блокады, а управляющие характеристики имеют периодический характер, что присуще только одноэлектронным устройствам.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич