|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Creating the single-electron transistors by electromigration and electrotrappingстатья
- Авторы: Galstyan A.G., Dagesyan S.A., Soldatov E.S.
- Сборник: Proceedings of the 26th International Conference "Microwave & Telecommunication Technology", (CriMiCo’2016)
- Том: 7
- Год издания: 2016
- Место издания: Sevastopol, Russia
- Первая страница: 1520
- Последняя страница: 1526
- Аннотация: Представлена методика изготовления планарных высокотемпературных одноэлектронных транзисторов с применением диэлектрофореза для встраивания острова (наночастицы золота диаметром 2-4 нм) в созданные с помощью электромиграции нанозазоры между электродами транзисторов шириной 2-4 нм. Измеренные при Т=77 К вольтамперные характеристики таких наноэлементов свидетельствуют о коррелированном характере транспорта электронов в полученных структурах.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич