Аннотация:Проведено фемтосекундное лазерное облучение аморфных тонких плѐнок Ge2Sb2Te5 на диэлектрических подложках при различных временах экспозиции. Обнаружено, что с еѐ увеличением происходят как обратимые фазовые переходы типа «кристаллическая – аморфная фаза», так и формирование поверхностных периодических структур с близким к длине волны (1.25 мкм) фемтосекундных импульсов периодом.