|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Наноэлектронные структуры на основе кремния на изоляторетезисы доклада
- Авторы: Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Шорохов В.В., Божьев И.В., Крупенин В.А.
- Сборник: 26-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы конференции 4—10 сентября 2016 г. Севастополь, Крым, Россия
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: Москва ♦ Минск ♦ Севастополь
- Первая страница: 1438
- Последняя страница: 1444
- Аннотация: Abstract: We report on technological methods for fabrication and investigation of the following nanoelectronic structures from silicon-on-insulator (SOI): - high sensitive field/charge sensors based on single electron transistor (SET) from high doped silicon including transistor where the effective island is a single As dopant atom, - high sensitive field/charge sensors based on field effect transistor with nanowire channel (FET). We made a deep analysis of implementation of the SOI-based devices in physical, chemical, biological and medical applications.
- Добавил в систему: Крупенин Владимир Александрович