Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be+статья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 августа 2019 г.

Работа с статьей


[1] Авакянц Л. П., Боков П. Ю., Червяков А. В. Комбинационное рассеяние света в inp, легированном имплантацией ионов be+ // Физика и техника полупроводников. — 2017. — Т. 51, № 2. — С. 177–181.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть