|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние кристаллической структуры подложки на магнитные, электричесие и кристаллографические свойства эпитаксиальных пленок La0.35Nd0.35Sr0.3MnO3статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 апреля 2017 г.
- Авторы: Абрамович А.И., Горбенко О.Ю., Кауль А.Р., Королева Л.И., Мичурин А.В., Шимчак Р., Деев С.
- Журнал: "Физика твердого тела"
- Том: 42
- Номер: 9
- Год издания: 2000
- Первая страница: 1657
- Последняя страница: 1663
- DOI: 10.1134/1.1309455
- Аннотация: Изучено электросопротивление rho, магнитосопртивление delto/rho и намагниченность эпитаксиальных пленок La0/35Nd0.35Sr0.3MnO3 на подложках из ZrO2(Y2O3), SrTiO3, LaAlO3 и MgO.В первой пленке реализуются четыре эквивалентных варианта кристаллографической ориентации в плоскости образца, тогда как у трех других - одна ориентация. У первой пленки по сравнению с тремя другими максимумы rho и delto/rho в районе точки Кюри Тс сильно расширены, при этом сама величина rho на 1.5 порядка выше, а большое отрицательное магнитосопртивление (|delto/rho|~ 10% в поле 8.4 кЭ) наблюдается при температурах между 80 и 200 К. У всех пленок при 5 К магнитный момент на молекулу на ~ 46% чисто спинового значения, что вызвано существованием магнитно разупорядоченных областей. Повышенная величина rho у пленки на ZrO2(Y2O3) обусловлена электросопротивлением границ между областями с с различной кристаллографической ориентацией, а магнитосопротивление связано с тунелированием поляризованных носителей заряда через те границы, которые совпадают с доменными стенками. Низкотемпературное магнитосопротивление в полях выше технического насыщения вызвано сильным p-d обменом внутри спин-упорядоченных областей.
- Добавил в систему: Королёва Людмила Ивановна