|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Annealing of deposited SiO2 thin films: full-atomistic simulation resultsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 февраля 2017 г.
- Авторы: Grigoriev F.V., Katkova E.V., Sulimov A.V., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.
- Журнал: Optical Materials Express
- Том: 6
- Номер: 12
- Год издания: 2016
- Первая страница: 3960
- Последняя страница: 3966
- DOI: 10.1364/OME.6.003960
- Аннотация: The previously developed high-performance method of the atomistic simulation of thin film deposition is applied to the investigation of effects connected with SiO2 films annealing. It is found that the film density is reduced for about 0.15 g/cm3 under annealing with the temperature of 1300 K. This corresponds to the reduction of the refractive index for approximately 0.03. Concentrations of the non-bridging and threefold coordinated oxygen atoms are reduced up to four times after annealing. The stress value essentially reduces after annealing at 1300 K and the film thickness increases for 3 nm.
- Добавил в систему: Кондакова Ольга Анатольевна