Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO2, сенсибилизированного нанокристаллами CdSeстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 сентября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Фотопроводимость композитных структур на основе пористого sno2, сенсибилизированного нанокристаллами cdse / К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский и др. // Физика и техника полупроводников. — 2013. — Т. 47, № 3. — С. 360–363. Внедрение в пористую матрицу SnO2 нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77−300K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2.7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть