Аннотация:Исследовано влияние интегрированных сопротивлений, созданных под действием облучения в нанопроводе, на его сверхпроводящие переходы. Рассмотрены нанопровода из нитрида ниобия шириной 75−20000 nm,изготовленные из пленки NbN толщиной 5 nm на подложках из монокристаллического кремния, покрытого слоем термического оксида кремния толщиной 0.3 µm и на подложках из сапфира. Описано влияниевстроенной резистивной области на величину критического тока перехода из сверхпроводящего состояния в нормальное.