Управление сдвигом Гуса-Хенхен Гауссова пучка при его отражении от фотонного кристалла с экспоненциальным законом изменения периодастатья

Работа с статьей


[1] Андреев А. В., Кекконен Э. А., Коновко А. А. Управление сдвигом Гуса-Хенхен Гауссова пучка при его отражении от фотонного кристалла с экспоненциальным законом изменения периода // Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. — 2015. — Т. 15, № 1. — С. 17–22. Показано, что профиль фазы комплексного коэффициента отражения существенно зависит от параметров кристалла. При экспоненциальном законе изменения периода кристалла появляются области, в которых фаза может быть аппроксимирована квадратичной функцией. Широкая область квадратичного поведения фазы ККО позволяет наблюдать сдвиг Гуса-Хенхен для сильно сфокусированных оптических пучков (порядка десятка микрометров). При отражении пучков от фотонных кристаллов с экспоненциальным законом изменения периода, происходит усиление сдвига Гуса-Хенхен по сравнению со строго периодическими структурами. Произведено численное моделирование отражения гауссова пучка от фотонного кристалла с экспоненциальным профилем изменения периода для спектрально узких и спектрально широких пучков и проведено сравнение с теоретической моделью. Построены зависимости величины сдвига Гуса-Хенхен от параметров экспоненциального профиля фотонного кристалла и угла падения.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть