Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 августа 2021 г.
Аннотация:Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaAs, выращенного на подложках с ориентацией (111)А, для изготовления терагерцовых (ТГц) фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из LT-GaAs вместе с легирующими акцепторными слоями на основе GaAs : Si. При мощности оптической накачки 19 mW и напряжении смещения 30 V фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре LT-GaAs/GaAs : Si (111)А испускала ТГц импульсы со средней мощностью 2.3 μW при частоте следования импульсов 80 MHz, эффективность преобразования составила 1.2· 10-4. Показано, что зависимость интегральной мощности ТГц импульсов антенны на основе LT-GaAs/GaAs : Si (111)А структуры от приложенного напряжения является суперлинейной, а от мощности оптической накачки имеет вид кривой насыщения. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии биологических растворов. Ключевые слова: импульсная терагерцовая спектроскопия, фотопроводящая антенна, низкотемпературный GaAs.