Аннотация:Использование газа C2F4Br2 в процессе криогенного травления low-k-диэлектрика позволяет существенно снизить повреждение материала за счет конденсации газа и продуктов травления в порах и образования защитной пленки на поверхности материала. Дополнительно исследован механизм проводимости тонких органосиликатных пленок с различным процентным содержанием метильных CH3-групп.