|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Effective Radiation Damage Models for TCAD Simulation of Silicon Bipolar and MOS Transistor and Sensor Structuresстатья Исследовательская статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 20 января 2021 г.
- Авторы: Petrosyants Konstantin, Kozhukhov Maxim, Popov Dmitry
- Журнал: Sensors & Transducers Journal
- Том: 227
- Номер: 11
- Год издания: 2018
- Издательство: International Frequency Sensor Association (IFSA)
- Местоположение издательства: Barcelona, Spain
- Первая страница: 42
- Последняя страница: 50
- Аннотация: The special library of radiation damage models for physical parameters and electrical characteristics of bipolar and MOS transistor and sensor structures taking into account neutron, gamma and proton irradiation is developed and built-into Sentaurus Synopsys software tool. For different BJTs/HBTs, MOSFETs and radiation sensors the good agreement to simulated and experimental electrical characteristics is achieved. The RMS error is not more than 10-20 %.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Petrosyants K., Kozhukhov M., Popov D. Effective radiation damage models for tcad simulation of silicon bipolar and mos transistor and sensor structures // Sensors & Transducers Journal. — 2018. — Vol. 227, no. 11. — P. 42–50 | P_3033.pdf | 959,3 КБ | 1 сентября 2020 [mkozhukhov] |