|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Measurements of the Electrical Characteristics of Bipolar and MOS Transistors Under the Effect of Radiationстатья Исследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 сентября 2020 г.
- Авторы: Petrosyants K.O., Samburskii L.M., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V.
- Журнал: Measurement Techniques
- Том: 59
- Номер: 10
- Год издания: 2017
- Издательство: Springer Science+Business Media, LLC.
- Местоположение издательства: New York, NY, United States
- Первая страница: 1104
- Последняя страница: 1111
- DOI: 10.1007/s11018-017-1100-z
- Аннотация: The specific nature of the process of measuring the electrical characteristics of bipolar and metal-oxidesemiconductor (MOS) transistors subjected to the action of neutron, electron, and gamma irradiation is considered. An automated measurement system is developed. Examples illustrating the use of the system for investigations of the radiation hardness of transistors are presented and the parameters of SPICE models for use in circuit design are determined.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович