В связи с техническими работами в центре обработки данных, возможность загрузки и скачивания файлов временно недоступна.
 

Some details of the characteristics of n-p-n double heterostructure bipolar-transistors under conditions of heating and cooling of the electrons and holes in the baseстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 октября 2020 г.