|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
High-frequency characteristics for bipolar heterotransistors with the base intervalley nonequilibrium-carrier redistributionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 августа 2020 г.
- Автор: Zakharova A.A.
- Журнал: Soviet Microelectronics
- Том: 18
- Номер: 2
- Год издания: 1989
- Первая страница: 94
- Последняя страница: 97
- Аннотация: High-frequency characteristics have been calculated for bipolar heterotransistors (BHT) having smooth emitter-base heterojunctions and bases made of Si or Ge; allowance is made for the intervalley minority-carrier (electron) redistribution. It is found that carrier disequilibrium in the base due to uneven equivalent-valley population can increase the BHT limiting frequency appreciably.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна