Carrier transport in broken-gap heterostructures tuned by a magnetic fieldстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 сентября 2020 г.
Аннотация:We have performed an eight-band k∙p model calculation on the current-voltage (I−V) curves associated with interband magnetotransport in a double-barrier broken-gap heterostructure using the Burt-Foreman multiband envelope function theory and the scattering matrix approach. In a sample with very thin barriers, the broadening Γ0 of a virtual bound state with energy E0 can be very large. Depending on the relative values of Γ0 and ∣E0−EF∣, where EF is the Fermi energy, the behavior of the I−V curve can be either of Ohmic type or of resonant-tunneling type, and can be tuned from one to the other by changing the applied magnetic-field strength.
На статью есть ссылка авторов Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A. в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 20, с. 57-65 (2009).