|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
A self-consistent investigation of the semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fieldsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 января 2022 г.
- Авторы: Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- Журнал: Journal of Physics Condensed Matter
- Том: 16
- Номер: 26
- Год издания: 2004
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 4677
- Последняя страница: 4684
- DOI: 10.1088/0953-8984/16/26/003
- Аннотация: Получен фазовый переход полуметалл-полупроводник. Результаты сопровожнены шестью иллюстрациями численных расчетов.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна