|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wellsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 декабря 2020 г.
- Авторы: Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- Журнал: International Journal of Nanoscience
- Том: 2
- Номер: 6
- Год издания: 2003
- Издательство: World Scientific Publishing Co
- Местоположение издательства: Singapore
- Первая страница: 437
- Последняя страница: 444
- DOI: 10.1142/S0219581X0300153X
- Аннотация: Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells under external electric and magnetic fields have been studied.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна