|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Self–consistent calculation of current—voltage characteristics of resonant tunnelling structures with type II heterojunctionsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2020 г.
- Авторы: Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A.
- Журнал: Solid State Electronics
- Том: 39
- Номер: 10
- Год издания: 1996
- Первая страница: 1445
- Последняя страница: 1448
- DOI: 10.1016/0038-1101(96)00063-9
- Аннотация: Resonant tunnelling structures (RTS) with type II heterojunctions such as InAs/AlSb/InAs RTS are investigated theoretically utilizing a self-consistent solution for potential shape and carrier density distribution. The tunnelling probability and tunnel current are calculated using the transfer matrix method and Kane's model. Band-bending is obtained, allowing for a realistic structure of spacer and contact regions. The transfer Hamiltonian approach is employed to determine the 2D charge density in the quantum well. As a result, current-voltage (I-V) characteristics are obtained for InAs/AlSb/InAs diodes close to those observed experimentally.
- Добавил в систему: Захарова Анна Александровна