Resonant tunnelling in type II heterojuncturesстатьяКраткое сообщениеИсследовательская статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 17 июля 2020 г.
Аннотация:Исследовано резонансное туннелирование в структурах с гетеропереходами второго типа.
The interband resonant tunneling in heterostructures is investigated using transfer Hamiltonian method and the semiclassical approximation. The interband tunnel matrix element, quasi-bound state energy and tunneling times in the resonant tunneling structures (RTS) under external bias are calculated. The non-equilibrium occupation of quasi-bound states and the conditions for subband population inversion in the quantum well are obtained. The results are applied to InAs/AlSb/InAs RTS with type II heterojunctions.
Статья цитируется в работе
Self–consistent I—V characteristic calculation of RTS with type II heterojunctions
Gergel V.A., Lapushkin I., Zakharova A.A.
в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 11, с. 56-60