Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Flaw formation in an oxide layer on a silicon surface during ion implantation and laser irradiation
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
,
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2013 г.
Авторы:
Kashkarov P.K.
, Kolesnikov A.V.,
Petrov A.V.
Журнал:
Soviet Microelectronics
Том:
17
Номер:
6
Год издания:
1989
Первая страница:
301
Последняя страница:
304
Добавил в систему:
Кашкаров Павел Константинович