Распределение зарядов в окисном слое структур Si-SiO2, подвергнутых имплантации и отжигу. Известия ВУЗовстатья

Работа с статьей


[1] Распределение зарядов в окисном слое структур si-sio2, подвергнутых имплантации и отжигу. Известия ВУЗов / А. П. Барабан, А. А. Кузнецова, Л. В. Малявка, А. В. Шишлова // Известия Вузов сер. электроника. — 1998. — № 4. — С. 17–20.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть