|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Распределение зарядов в окисном слое структур Si-SiO2, подвергнутых имплантации и отжигу. Известия ВУЗовстатья
- Авторы: Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В., Шишлова А.В.
- Журнал: Известия Вузов сер. электроника
- Номер: 4
- Год издания: 1998
- Первая страница: 17
- Последняя страница: 20
- Добавил в систему: Зайцева Анна Викторовна