Влияние положения уровня Ферми на концентрацию дефектов и фотопроводимость в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного эрбиемтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Казанский А. Г., Mell H., Weiser G. Влияние положения уровня Ферми на концентрацию дефектов и фотопроводимость в пленках аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием // Тезисы докладов 5-й Всероссийской конференции по физике полупроводников. — Институт физики микроструктур РАН г. Нижний Новгород, 2001. — С. 365–365.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть