Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешеткахстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Звягин И. П., Ормонт М. А. Экранирование вертикального беспорядка в легированных полупроводниковых сверхрешетках // Физика и техника полупроводников. — 1999. — Т. 33, № 1. — С. 79–82. Проведен расчет энергетического спектра электронов в легированных сверхрешетках с контролируемым беспорядком при учете кулоновских полей, возникающих за счет перераспределения электронов между квантовыми ямами. С помощью подхода, основанного на теории функционала плотности, и с использованием численных методов изучено влияние экранирования на вертикальный беспорядок, в частности, на распределение уровней размерного квантования в таких структурах. Показано, что экранирование приводит к смещению максимума распределения и к существенному уменьшению его ширины; это может приводить к делокализации электронных состояний, определяющих вертикальную проводимость структуры. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть