|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Single-electron transistor based on several dopant atomsтезисы доклада
- Авторы: Dagesyan S., Shorokhov V., Presnov D., Soldatov E., Trifonov A., Krupenin V.
- Сборник: Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва
- Первая страница: 172
- Последняя страница: P2-06
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич