Single-electron transistor based on several dopant atomsтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 марта 2017 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Single-electron transistor based on several dopant atoms / S. Dagesyan, V. Shorokhov, D. Presnov et al. // Intenational Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2016", ICMNE 2016, October 3-7, “Ershovo” resort, Moscow - Zvenigorod, Russia, Book of Abstracts. — Institute of Physics and Technology of the RAS, Москва, 2016. — P. 172–P2–06.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть