Формирование периодических поверхностных структур и фазовые изменения в аморфных тонких пленках Ge2Sb2Te5, отожженных фемтосекундными лазерными импульсамитезисы докладаТезисы
Место издания:Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" Москва, Каширское ш., 31 Москва
Первая страница:390
Последняя страница:391
Аннотация:Методами сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света были исследованы тонкие аморфные пленки Ge2Sb2Te5, обработанные фемтосекундными лазерными импульсами. Обнаружено, что в результате отжига возникают фазовые изменения, а также формируются периодические структуры на поверхности.