Аннотация:Методом молекулярной динамики выполнено моделирование воздействия ионов He и Ar низких энергий (50-200 eV) на нанопористые материалы на основе Si и SiO2. Полученные результаты подтверждают наблюдаемый экспериментально эффект уплотнения приповерхностных слоев материалов с малыми размерами пор и низкой пористостью, который обусловлен инициированным ионами процессом схлопывания пор. Исследованы различия в воздействии на нанопористые материалы ионов He и Ar и влияние их энергии на интенсивность структурных изменений. Ключевые слова: low-k диэлектрики, нанопористые материалы, молекулярная динамика, схлопывание пор.