Recrystallization of the structure of silicon carbide under ion irradiation

Shemukhin, A.A.; Smirnov, A.M.; Evseev, A.P.; Vorobyeva, E.A.; Kozemyako, A.V.; Minnebaev, D.K.; Balakshin, Y.V.; Nazarov, A.V.; Chernysh, V.S.

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science, Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 ноября 2020 г.

Авторы: Shemukhin A.A., Smirnov A.M., Evseev A.P., Vorobyeva E.A., Kozemyako A.V., Minnebaev D.K., Balakshin Yu V., Nazarov A.V., Chernysh V.S.
Журнал: Moscow University Physics Bulletin
Том: 75
Номер: 2
Год издания: 2020
Издательство: Allerton Press
Местоположение издательства: New York, N.Y., United States
Первая страница: 133
Последняя страница: 136
DOI: 10.3103/S0027134920020113
Аннотация: Silicon carbide was irradiated with aluminum ions at an energy of 190 keV with fluences of 2×10^13−5×10^14 ion/cm^2. The temperature of the target during irradiation was 300–500◦C or it was kept at room temperature. It is shown that the presence of nitrogen in the structure of silicon carbide erodes the edge of the interband absorption. After irradiation at room temperature, the structure is disordered to form Si–Si and C–C compounds, as well as 3C–SiC. According to the absorption spectra, when the target temperature is increased during irradiation to 500◦C, the structure of silicon carbide recrystallizes up to the initial state.
Добавил в систему: Евсеев Александр Павлович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Recrystallization of the structure of silicon carbide under ion irradiationстатья

Прикрепленные файлы