Density of states in the gap, connected with dipole defects in the chalcogenide vitreous semiconductorsстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Grigoriev F. V., Zyubin A. S., Dembovsky S. A. Density of states in the gap, connected with dipole defects in the chalcogenide vitreous semiconductors // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. — 2001. — Vol. 3, no. 1. — P. 19–26. It is shown, that defects with significant dipole moments, which has been found out as a result of quantum chemical modeling of the chalcogenide glassy semiconductors (CGS), give rise to a tail of density of states, slowly falling down deep into the gap. Under some conditions, the exact type of the energy spectrum of the charge carriers is determined in the frame of a potential that describes a dipole field at large distances.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть