Effect of 4H-SiC Target Temperature under Ion Irradiation on the Distribution Profile of Al+ Ionsстатья

Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 марта 2020 г.

Работа с статьей


[1] Effect of 4h-sic target temperature under ion irradiation on the distribution profile of al+ ions / A. A. Shemukhin, A. P. Evseev, A. V. Kozhemiako et al. // Moscow University Physics Bulletin. — 2019. — Vol. 74, no. 6. — P. 47–51. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть