Bias voltage-dependent photoinduced current and photoluminescence in organometal perovskite layers on silicon substratesстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 апреля 2020 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен

[1] Bias voltage-dependent photoinduced current and photoluminescence in organometal perovskite layers on silicon substrates / K. S. Sekerbayev, Y. Shabdan, S. L. Mikhailova et al. // Physica B: Condensed Matter. — 2020. — Vol. 582. — P. 412025. Получены и исследованы тонкие металлоорганические слои перовскита на подложках кристаллического кремния при возбуждении наносекундными лазерными импульсами с целью выявления влияния напряжения смещения и параметров структуры перовскит / кремний на фотоиндуцированный ток и фотолюминесценцию. Проведено численное моделирование диффузии, разделения и рекомбинации фотоиндуцированных носителей заряда в структурах перовскит/кремний для описания как переходного процесса фотолюминесценции, так и зависящего от времени фототока при различном напряжении смещения. В то время как безызлучательная поверхностная рекомбинация не оказывает существенного влияния на переходные процессы фотолюминесценции в течение времени менее 100 нс, фотоиндуцированный ток сильно уменьшается с увеличением скорости поверхностной рекомбинации. Проведено сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными, полученными для органометаллического перовскита, нанесенного на подложки из оптически полированных кристаллических кремниевых пластин p-типа проводимости и покрытых кремниевыми нанопроводами. Полученные результаты обсуждаются с учетом возможного применения исследуемых структур в фотоэлектрике и светоизлучающей оптоэлектронике. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть