Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Changes of Luminescent and Electrical Properties of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes During a Long Work at Forward Currents
статья
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Авторы:
Kovalev A.N.
,
Kudryashov V.E.
,
Manyakhin F.I.
,
Turkin A.N.
,
Yunovich A.E.
Сборник:
Proc. of the 2nd Int. Conf. on Nitride Semiconductors
Год издания:
1997
Место издания:
Tokushima
Первая страница:
46
Последняя страница:
47
Добавил в систему:
Юнович Александр Эммануилович