|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Aging Mechanisms of InGaN/AlGaN/GaN Light-Emitting Diodes during a Work at High Currentsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Manyakhin F.I., Kovalev A.N., Yunovich A.E.
- Журнал: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research
- Том: 3
- Год издания: 1998
- Первая страница: e53
- DOI: 10.1557/S1092578300001253
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович