|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Growth of single-crystal diamonds in microwave plasmaстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 5 сентября 2016 г.
- Авторы: Bolshakov A.P., Ralchenko V.G., Polskiy A.V., Konov V.I., Ashkinazi E.E., Khomich A.A., Sharonov G.V., Khmelnitsky R.A., Zavedeev E.V., Khomich A.V., Sovyk D.N.
- Журнал: Plasma Physics Reports
- Том: 38
- Номер: 13
- Год издания: 2012
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1113
- Последняя страница: 1118
- DOI: 10.1134/S1063780X12080089
- Аннотация: A microwave plasma (2.45 GHz) was used for depositing single crystal diamond layers at the deposition rate up to 40 mu m/h in hydrogen-methane mixtures on the substrates from natural and synthetic diamond with the (100) deposition surface and with the size up to 5 x 5 mm. The structure and the defect-impurity composition of the fabricated single crystals with the thickness up to 600 mu m have been investigated using Raman spectroscopy, photoluminescence spectroscopy, cathode luminescence spectroscopy, and electron and optical microscopy. A high quality and purity of the diamond layers deposited from a plasma was confirmed.
- Добавил в систему: Конов Виталий Иванович