Влияние центров прилипания на релаксацию электролюминесценции в SiC (6 H )статья

Работа с статьей


[1] Влияние центров прилипания на релаксацию электролюминесценции в sic (6 h ) / В. Г. Воронин, А. А. Глухарев, В. И. Павличенко и др. // Электронаная техника. Полупроводниковые приборы ,вып. 3 ( 53 ). — 2. — г. Москва, 1970. — С. 24–30.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть