Аннотация:Продемонстрировано влияние переходных процессов, возникающих в ростовой камере установки молекулярно-пучковой эпитаксии, на структуру интерфейсов и электронный спектр квантовых ям GaAs/AlxGa1−xAs,используемых для изготовления фотоприемных устройств (ФПУ) среднего ИК-диапазона. Показано, чтотакие процессы приводят к низкочастотному сдвигу рабочего перехода ФПУ, появлению в спектрахпоглощения межзонного перехода, запрещенного правилами отбора, уменьшению энергетического сдвигамежду уровнями размерного квантования, сформированными легкими и тяжелыми дырками. Перечисленныеэффекты обеспечивают простой подход для бесконтактной оценки качества интерфейсов в гетероструктурахGaAs/AlxGa1−xAs для ФПУ.