Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
STAEBLER-WRONSKI EFFECT IN PHOSPHORUS-DOPED HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON
статья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
Автор:
KAZANSKII A.G.
Журнал:
Soviet Physics Semiconductors-Ussr
Том:
24
Номер:
8
Год издания:
1990
Первая страница:
915
Последняя страница:
917
Добавил в систему:
Казанский Андрей Георгиевич