On mechanisms of oxygen influence on gas-phase parameters and silicon reactive-ion etching kinetics in HBrстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Работа с статьей


[1] On mechanisms of oxygen influence on gas-phase parameters and silicon reactive-ion etching kinetics in hbr / A. M. Efremov, V. V. Rybkin, V. B. Betelin, K.-H. Kwon // Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология. — 2019. — Vol. 62, no. 10. — P. 76–83.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть