|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
High-temperature growth and characterization of (Er,Yb):YAl3(BO3)4 single crystal layersтезисы доклада
- Авторы: Volkova E., Markin V., Leonyuk N.I.
- Сборник: iccge18, e-Abstract
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: ICCGE18 Nagoya, Japan
- Первая страница: MoP-G04-14
- Последняя страница: MoP-G04-14
- Аннотация: Er0.02Yb0.11Y0.87Al3(BO3)4 epitaxial layers were grown from K2Mo3O10 based fluxed melts using LPE technique. HT-SGDS grown YAl3(BO3)4 single crystals were used as substrates. Growth kinetics and micromorphology of (Er.Yb):YAl3(BO3)4 thin films were investigated.
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович