Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-Si:H films containing boron and fluorineстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Kurova I. A., Miroshnik O. N., Ormont N. N. Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-si:h films containing boron and fluorine // Semiconductors. — 1996. — Vol. 30, no. 4. — P. 391–392.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть