Volatile surfactant-assisted MOCVD: Application to LaAlO3 thin-film growthстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

[1] Volatile surfactant-assisted mocvd: Application to laalo3 thin-film growth / A. A. Molodyk, I. E. Korsakov, M. A. Novojilov et al. // Chemical Vapor Deposition. — 2000. — Vol. 6, no. 3. — P. 133–138. A new approach to the CVD of oxides with kinetically hindered diffusion, called volatile surfactant-assisted (VSA) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), consisting of film deposition in the presence of a volatile low melting point oxide (Bi2O3) has been developed. The process was applied to the deposition of LaAlO3 films, and a model of the process was proposed. Epitaxial and textured LaAlO3 films on various substrates were obtained, both by thermal and VSA MOCVD. A marked improvement in crystalline quality and surface morphology was found for the films deposited by VSA MOCVD. LaAlO3 films obtained in the presence of Bi2O3 did not contain Bi. A significant increase (up to five times) of the deposition rate was observed for LaAlO3 films deposited by VSA MOCVD compared with that for the films grown by thermal MOCVD. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть