Переход в бесщелевое состояние Hg1-xCdxTe под действием давлениятезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Переход в бесщелевое состояние hg1-xcdxte под действием давления / О. Н. Белоусова, Л. А. Бовина, В. И. Стафеев, Я. Г. Пономарев // Тезисы докладов III симпозиума по полупроводникам с малой шириной запрещенной зоны и полуметаллам. Львов. 1972. — 1972.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть