Reflectance Modification in Nanostructured Silicon Layers with Gradient Porosityстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 8 декабря 2019 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы

Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Mussabek_ReflModif_LebBull2019.pdf 847,9 КБ 28 ноября 2019 [vtimoshe]

[1] Reflectance modification in nanostructured silicon layers with gradient porosity / G. K. Mussabek, D. Yermukhamed, Z. A. Suleimenova et al. // Bulletin of the Lebedev Physics Institute. — 2019. — Vol. 46, no. 10. — P. 314–318. Asignificantchangeineffectivereflectancespectraofnanostructuredporoussiliconlayers grown with different times of metal-assisted chemical etching is detected. The low reflectances at the levelof5–10% measuredinthe spectralrange of200–400 nm are explained by strong elastic scattering of light in combination with absorption in silicon nanostructures, while a reflectance increase in the range of 500–1800 nm, which is visually detected as a “white” layer appearance is associated with Mie scattering in silicon nanostructures with gradient porosity under conditions of weak optical absorption. The results obtained are discussed from the viewpoint of potential applications of “black” and “white” nanocrystalline silicon in photonics and sensorics. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть