Экситонные эффекты и примесно-дефектное излучениев GaAs/AlGaAs-структурах, применяемых для изготовления детекторов среднего ИК-диапазонастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 1 апреля 2020 г.
Аннотация:С помощью молекулярно-пучковой эпитаксии получена серия нелегированных GaAs/AlxGa1−xAs-
гетероструктур с множественными квантовыми ямами, легированные аналоги которых используются
при создании фотоприемников на спектральный диапазон 8−12 мкм. Для выращенных гетероструктур
установлено спектральное положение линий поглощения, соответствующих разрешенным переходам между
электронными и дырочными уровнями размерного квантования в GaAs-слоях. Исследовано влияние
примесно-дефектных состояний на спектры люминесценции и поглощения квантовых ям. Определены
величины экситонных поправок для разрешенных переходов в зависимости от ширины квантовой ямы и
содержания алюминия в барьерных слоях. Обсуждается роль экситонных эффектов при восстановлении
структуры одноэлектронных состояний по спектрам межзонного поглощения (возбуждения люминесценции),
а также связь этих состояний с рабочим диапазоном ИК-фотоприемников на основе GaAs/AlxGa1−xAs-
квантовых ям.